三星電子稱，為了滿足快速發(fā)展的智能手機及日漸熱門的大容量便攜式電子設備市場，將從本月起量產(chǎn)業(yè)界首款高性能32GB(gigabyte) microSD存儲卡。

據(jù)悉，這是繼去年二月三星電子在行業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)采用30納米級 (1納米相當于10億分之一米) 32Gb(bit) 3bit NAND 芯片的32GB microSD產(chǎn)品后，今年再次率先量產(chǎn)采用20 納米級 3bit NAND Flash技術(shù)平臺，創(chuàng)造出同等規(guī)格中最高技術(shù)水平的CLASS10(10MB/秒) 32GB microSD，從而進一步擴大了產(chǎn)品陣容。
　　
記者了解到，新產(chǎn)品收納了20 納米級 3bit NAND Flash和三星獨自設計的3bit 專用控制器，三星的32GB microSD卡的速度也提高了兩倍，與現(xiàn)有的30 納米級 3bit NAND Flash Class4 32GBmicroSD(最快寫入速度每秒7MB)相比，寫入及讀取速度分別提高到每秒12MB和24MB，而且芯片兼具大容量與高性能, 特別適用于4G智能手機。

此外，三星電子產(chǎn)品生產(chǎn)效率提升了30%之多，大大提高了產(chǎn)品競爭力。有專家稱，由于三星半導體的技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)品競爭力，目前，三星在32GB以上大容量存儲市場的占有率在不斷擴大，預計從2010年到2012年，三星半導體的市場占有率將由11%提升到23%。

三星電子半導體事業(yè)部存儲戰(zhàn)略營銷部負責人洪完勛副董事長向記者介紹說，“ 32GB microSD CLASS10內(nèi)存卡令最近上市的智能手機達到完美速度”。洪完勛也表示，“在未來32GB microSD 市場上，我們的顧客在體驗過32GB microSD CLASS10產(chǎn)品后，我相信他們肯定對大容量存儲卡的性能更加認可和滿意”。

目前，三星電子計劃明年開始量產(chǎn)采用20納米級64Gb 3bit 400Mbps NAND Flash的32GB以上大容量存儲卡，將持續(xù)擴展高性能與大容量存儲卡市場。業(yè)內(nèi)人士表示，此舉在NAND Flash市場上持續(xù)擴大容量閃存卡比重的同時，將引領(lǐng)閃存卡市場的發(fā)展。

這是個非常好的消息，意味著我們不久可以用更低的成本用上更大容量的存儲卡了。